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October 2013
FDP2532 / FDB2532
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
150 V, 79 A, 16 m Ω
Features
? R DS(on) = 14 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 33 A
? Q G(tot) = 82 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Consumer Appliances
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Micro Solar Inverter
Formerly developmental type 82 884
D
D
GD
S
TO-220
G
S
D 2 -PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter
FD P 2532 / FD B 2532
U nit
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
150
± 20
V
V
Drain Current
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 43 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
79
56
8
Figure 4
400
310
2.07
-55 to 175
A
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o C
Thermal Characteristics
C/W
C/W
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case, Max. TO-220, D 2 -PAK
Thermal Resistance Junction to Ambient, Max. TO-220, D 2 -PAK (Note 2)
Thermal Resistance Junction to Ambient D 2 -PAK , Max. 1in 2 copper pad area
0 .61
62
43
o C/W
o
o
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2532 / FDB2532 Rev. C 2
1
www.fairchildsemi.com
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